ステップフロー型研磨法によるGaN基板の平坦化加工と除去速度増加の検討

DOI

Abstract

窒化ガリウムは省エネルギーパワーデバイス用半導体基板材料として注目されているが，その高硬度・化学的安定性のため高能率・高精度な研磨技術が未確立である．我々は触媒定盤表面を基準面とする新しい化学研磨技術によって原子レベルの平坦化加工を行っている．本報ではステップフローで進行する除去加工において，紫外光を用いてテラス上に新たに加工起点を形成することで加工速度の向上に成功した結果について述べる．

Journal

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680633552640
  • NII Article ID
    130004660727
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2012a.0.427.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

Report a problem

Back to top