Development of the polishing process technology of the crystal substrate for green devices (9th Report)

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Other Title
  • グリーンデバイス用結晶基板の加工プロセス技術の研究開発 （第9報）
  • ダイラタンシー・パッドを用いたSiC基板の加工品質評価
  • Evaluation of processing quality of SiC substrate by using the dilatancy pad

Abstract

難加工性機能材料の高能率・高品位加工プロセス構築に向けて研究開発を展開している．その一環として前報では開発した高速圧加工装置と加工条件感応型パッドを併用した融合加工技術について報告した．本報では前報に引き続きSiC基板加工レート・スクラッチ等の評価をはじめ，TEMによる加工層評価を行ない，基板加工の所要時間短縮の詳細について検討した．その結果，従来技術の1/5以下の大幅な加工時間短縮を実現し得る可能性を得た．

Journal

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680633695104
  • NII Article ID
    130005486810
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2015a.0_443
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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