OHラジカルを活性種として用いたGaN化学機械研磨プロセスの量子分子動力学シミュレーション

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抄録

GaN基板に対する高効率・高精度な研磨プロセス設計を目的に、活性種としてOHラジカルを用いたGaN基板研磨プロセスについて、量子分子動力学法に基づくシミュレーションによる解析を行った。溶液中のOHラジカルがGaN基板と反応することで生成する吸着O原子が、摩擦面において、基板内に押し込まれる酸化反応を明らかにした。この酸化反応に伴い、基板のGa-N結合が解離し、基板原子がN2分子、Ga(OH)3分子として脱離するプロセスを解明した。

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  • CRID
    1390282680636115072
  • NII論文ID
    130005479411
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2014a.0_441
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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