THzデバイス応用のためのMOVPE法による(0001)α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上へのZnTe単結晶の成長

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タイトル別名
  • Growth of ZnTe single crystal on C-plane sapphire ubstrates by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy for THz device applications

抄録

未開拓電磁波ともいわれるTHz波は，通信から医療まで幅広い分野での応用性があり注目されている．本研究では，高性能なTHzデバイスの作製を目的とする研究の一環として，電気光学結晶材料であるZnTeに注目し，大面積単結晶薄膜成長が可能な有機金属気相成長法（MOVPE）によるc面サファイア基板上への高品質ZnTe単結晶薄膜の成長を試み，従来の基板温度依存性に加え，圧力及び原料供給量が成長薄膜に与える影響を調べる．得られた試料は，X線回折測定，レーザーラマン分光測定及び原子間力顕微鏡観察により評価した．

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680641163136
  • NII論文ID
    130006356867
  • DOI
    10.11527/jceeek.2016.0_41
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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