THzデバイス応用のためのMOVPE法による(0001)α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上へのZnTe単結晶の成長
書誌事項
- タイトル別名
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- Growth of ZnTe single crystal on C-plane sapphire ubstrates by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy for THz device applications
抄録
未開拓電磁波ともいわれるTHz波は,通信から医療まで幅広い分野での応用性があり注目されている.本研究では,高性能なTHzデバイスの作製を目的とする研究の一環として,電気光学結晶材料であるZnTeに注目し,大面積単結晶薄膜成長が可能な有機金属気相成長法(MOVPE)によるc面サファイア基板上への高品質ZnTe単結晶薄膜の成長を試み,従来の基板温度依存性に加え,圧力及び原料供給量が成長薄膜に与える影響を調べる.得られた試料は,X線回折測定,レーザーラマン分光測定及び原子間力顕微鏡観察により評価した.
収録刊行物
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- 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集
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電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2016 (0), 41-41, 2016
電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680641163136
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- NII論文ID
- 130006356867
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可