The relationship between substrate temperature and composition of Zn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>Se<sub>y</sub>Te<sub>1-y</sub> layer prepared by metalorganic vapor phase epitaxy
Bibliographic Information
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- 有機金属気相成長法により作製されたZn <sub>1-x</sub> Mg <sub>x</sub> Se <sub>y</sub>Te <sub>1-y</sub>層の組成と基板温度の関係
Abstract
Zn1-xMgxSeyTe1-y4元混晶半導体薄膜が有機金属気相成長法により(001)Gaドープの半絶縁性ZnTe基板の上に作製された。ジメチル亜鉛、ジエチルテルル、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ジエチルセレンが原料として用いられた。Zn1-xMgxSeyTe1-yの組成と基板温度の関係がEDXとXRD測定双方から決定された。基板温度が増加するとSe組成(y)が増加するがMg組成(x)が減少することが分かった。これらの振る舞いは、ジエチルセレンの熱分解特性と、ジエチルテルルとビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウムの間の反応による混晶へのMgの取り込みの抑制とに関係すると予想された。
Journal
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- Record of Joint Conference of Electrical and Electronics Engineers in Kyushu
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Record of Joint Conference of Electrical and Electronics Engineers in Kyushu 2013 (0), 282-282, 2013
Committee of Joint Conference of Electrical, Electronics and Information Engineers in Kyushu
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680641294336
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- NII Article ID
- 130005487393
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed