電界イオン顕微鏡における電界吸着原子上の電場強度の定量的評価II

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電界イオン顕微鏡（FIM）像の結像機構の詳細を明らかにするため、μプローブホールFIMを用いて単一試料表面原子位置から放射される電界イオンを直接的に計数計測し、試料探針への印加電圧依存性を調べた。異なる最良結像電場強度を持つHeとNeをイメージングガスであるだけでなく、イオン化時の電場強度を示す指標として利用し、個々の表面原子上の空間に形成されるイオン化領域の大きさと電場強度の定量的評価を行った。

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  • CRID
    1390282680654419968
  • NII Article ID
    130005481108
  • DOI
    10.14886/sssj2008.34.0_37
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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