新規Ge原料 t-C4H9GeH3のSiもしくはGaAs基板上における表面反応過程

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タイトル別名
  • Surface reaction processes of t-C4H9GeH3 on GaAs and Si substrates

説明

GaAs/Si構造は、多接合型太陽電池等への応用が期待されている。本構造の格子定数差等に起因する欠陥の低減手法として、Geバッファ層が提案されている。近年、安全で取扱いが容易な新しいGe原料としてt-C4H9GeH3（tBGe）が提案されているが、各種基板上での反応過程など不明な点が多い。本研究では、Si又はGaAs基板上におけるtBGeの表面反応と成長初期過程を明らかにすることを目的とした。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680654573696
  • NII論文ID
    130005175729
  • DOI
    10.14886/sssj2008.36.0_264
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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