In吸着Ge(110)表面の相図とバンド分散構造

DOI
  • 江波戸 達哉
    奈良先端科学技術大学院大学　物質創成科学研究科
  • 武田 さくら
    奈良先端科学技術大学院大学　物質創成科学研究科
  • 坂田 智裕
    電気通信大学　大学院情報理工学研究科　先進理工学専攻　環境触媒化学研究室
  • Ang Artoni K. R.
    奈良先端科学技術大学院大学　物質創成科学研究科
  • 米田 允俊
    奈良先端科学技術大学院大学　物質創成科学研究科
  • 大門 寛
    奈良先端科学技術大学院大学　物質創成科学研究科

書誌事項

タイトル別名
  • In-Adsorbed Ge(110) Phase Diagram and Band Dispersion

抄録

電子デバイス応用材料として脚光をあびるGeであるが、最も高いキャリア移動度をもつ(110)面については研究例が少なく、金属吸着表面の相図や電子状態など不明な点が多い。本研究では、RHEEDの連続撮影を用い、Inを蒸着した時のスポット強度変化を解析し、詳細な相図を作製した。またARPESを用いて各表面構造に対するバンド構造を測定した。その結果、HH、LHおよびSOのGe(110)バルク由来のバンドを測定でき、In表面由来のバンドを新たに見出した。

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680654698240
  • NII論文ID
    130005175533
  • DOI
    10.14886/sssj2008.36.0_163
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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