反射高速電子回折によるα-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>(0001)面の√31×√31±R9°構造の解析

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  • Structure analysis of α – Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>(0001) √ 31 x √ 31 ± R9 ° surface by Reflection High Energy Electron Diffraction

抄録

GaNの成長用基板として用いられているα-Al2O3は最表面からAl、O、Al、Al、O、Al…と積層するコランダム構造を持つ。(0001)表面は真空中で高温加熱すると、1×1構造から√31×√31±R9°構造（√31構造）に構造相転移する。√31構造は、表面の2層のO層が抜け、最表面にAl(111)の2重層が形成されるモデルが提案されているが、原子位置等は実験的に明らかになっていない。我々は、α‐Al２O３(0001)面の√31構造を反射高速電子回折(RHEED)のロッキングカーブ法を用いて解析した。<br><br><br><br>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680654847872
  • NII論文ID
    130005974631
  • DOI
    10.14886/sssj2008.37.0_127
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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