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Fabrication and evaluation of resistive switching device using Ni nanowire
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- kyomi takuya
- 関西大学
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- otsuka shintaro
- 関西大学
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- shimizu tomohiro
- 関西大学
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- shingubara shoso
- 関西大学
Bibliographic Information
- Other Title
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- Niナノワイヤを用いた抵抗変化型メモリの形成と評価
Description
近年、抵抗変化型メモリ（ReRAM:Resistive Random Access memory）が次世代の不揮発性メモリとして注目を集めている。ReRAMは金属酸化物などの絶縁膜を金属電極で挟みこんだ単純な構造をしており、微細化に適した性質をもつ。本研究ではNiナノワイヤを用いたReRAMの形成を試み、またそのメモリー素子としての基本動作の確認を行った。
Journal
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- Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan
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Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 33 (0), 166-, 2013
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680654875904
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- NII Article ID
- 130005472919
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed