Study on the growth of large crystalline domains in VO₂ films grown on sapphire substrates

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  • サファイア基板上VO₂薄膜成長における巨大ドメイン結晶成長に関する研究

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スパッタ法において基板バイアス印加法を用いて、Al２O３(001)基板上に堆積したVO２薄膜ではVO２(020)配向成長が得られた。基板バイアス電力を0 Wから増加させたときある特定のバイアス電力においてVO２/Al２O３(001)上の典型的な値である数～十nm程度に比べて大きい数 μm以上の巨大な単結晶ドメインが成長した。この巨大ドメインの成長条件を明らかにして、その特性評価の結果を示す。

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680655010816
  • NII Article ID
    130005175518
  • DOI
    10.14886/sssj2008.36.0_130
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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