省エネルギー・パワー半導体SiCの進展と今後の展望

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タイトル別名
  • Progress and Prospects of SiC Power Devices for Energy Efficiency

説明

SiCは、Siの限界を打破する高耐圧・低損失パワーデバイス用半導体として有望である。近年の結晶成長およびデバイス技術の進展により、1kV級のショットキーダイオードとパワーMOSFETの実用化が開始され、様々な機器で顕著な省エネ効果を発揮している。また、200mm径の高品質SiCウェハや耐圧20kV以上のデバイスも実証されている。本講演ではSiCパワー半導体の進展と今後の展望を概説する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680655028992
  • NII論文ID
    130005974628
  • DOI
    10.14886/sssj2008.37.0_150
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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