Comparison of O2 dissociative adsorption on Si(001) at room temperature between p-type and n-type conductivity

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  • p型とn型Si(001)表面室温酸化におけるO2解離吸着過程の比較

Abstract

ｐとｎチャネルを組み合わせたCMOS作製では両チャネルを一緒に熱酸化し、酸化膜を形成している。今後、酸化温度の低下によりp型とn型Si(001)表面酸化過程に違いが現れる可能性があるため、紫外光電子分光により酸化過程のリアルタイム観察を行った。得られた仕事関数の値よりバンドベンディングの影響を差し引くことでそれぞれの表面電気二重層の挙動が明らかとなり、p型とn型ではO2解離吸着過程に大きな違いがあると判明した。

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  • CRID
    1390282680655262336
  • NII Article ID
    130005489421
  • DOI
    10.14886/sssj2008.35.0_388
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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