表面清浄化処理によるGaN(0001)からの発光強度の増大

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タイトル別名
  • Increase of luminescent intensity from GaN(0001) induced by surface cleaning treatments

抄録

従来、半導体表面の状態がその発光特性に影響を与えることが示唆されているが、超高真空下で制御された秩序(清浄)表面をもつ試料での発光特性評価の研究例は極めて少ない。我々は、代表的なワイドギャップ半導体GaN(0001)単結晶自立基板を用意し、2種類の表面清浄化処理により異なる制御表面を作製し、清浄化前後における発光強度の超高真空下その場評価を80 Kで行った。表面処理により、最大120倍にバンド端の発光強度が増大した。表面での無輻射遷移、バルク中の水素状態に起因する発光増大のメカニズム、半導体の表面が発光に及ぼす影響を議論する。

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  • CRID
    1390282680655509248
  • NII論文ID
    130005456670
  • DOI
    10.14886/sssj2008.32.0_72
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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