ワイドギャップ半導体MOS界面の物理
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- 白石 賢二
- 名古屋大学 大学院工学研究科
書誌事項
- タイトル別名
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- Physics in Interfaces of Widegap Semiconductor MOSFET
抄録
SiCやダイヤモンドをはじめとするワイドギャップ半導体から構成されるMOSFETは次世代パワーデバイスとして大きな期待が寄せられている。SiC-MOSFETの場合、熱酸化が進行するとC-Cボンドが界面に形成され、これが界面準位の起源となる。従って高性能のSiC-MOSFETを実現するには熱酸化プロセスをできるだけ避ける必要がある。講演では、ダイヤモンドから構成されるデバイスについても議論する。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 35 (0), 56-, 2015
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680655774080
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- NII論文ID
- 130005489508
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可