ワイドギャップ半導体MOS界面の物理

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タイトル別名
  • Physics in Interfaces of Widegap Semiconductor MOSFET

抄録

SiCやダイヤモンドをはじめとするワイドギャップ半導体から構成されるMOSFETは次世代パワーデバイスとして大きな期待が寄せられている。SiC-MOSFETの場合、熱酸化が進行するとC-Cボンドが界面に形成され、これが界面準位の起源となる。従って高性能のSiC-MOSFETを実現するには熱酸化プロセスをできるだけ避ける必要がある。講演では、ダイヤモンドから構成されるデバイスについても議論する。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680655774080
  • NII論文ID
    130005489508
  • DOI
    10.14886/sssj2008.35.0_56
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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