Infrared spectroscopic study on reactions during hydrogen plasma irradiation onto Si

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Other Title
  • 水素プラズマ-シリコンの反応の赤外分光計測

Description

水素プラズマによってSi基板はアモルファス化されることが知られている。この反応過程の詳細を明らかにするために,多重内部反射赤外吸収分光法を用いて水素プラズマとSi基板との相互作用を調べた。Si基板の水素プラズマ照射により Siは水素化されSiH2が形成されて安定化する。生成されたSiH2の赤外吸収ピークと水素プラズマ照射の時間との比較より,水素プラズマ照射に対する反応次数を0.5で説明できることが分かった。

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  • CRID
    1390282680656328448
  • NII Article ID
    130005456518
  • DOI
    10.14886/sssj2008.32.0_163
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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