Initial Silicidation on Ni surfaces studied by Scanning Tunneling Microscopy

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  • Ni表面のシリサイド形成初期過程のSTM観察

Abstract

Ni(111)、(100)、(110)表面でのSi吸着後形成されるシリサイド構造を超高真空下でSTM観察を行った。Ni(111)表面では、Siが1/3ML吸着したroot-3構造が安定構造であり、Ni(100)表面では1/2MLのroot-2構造、Ni(110)表面では1/2MLのp(1x2)、c(2x2)、c(4x2)構造が共存することが分かった。

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Keywords

Details

  • CRID
    1390282680656440576
  • NII Article ID
    130005175739
  • DOI
    10.14886/sssj2008.36.0_411
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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