Ni表面のシリサイド形成初期過程のSTM観察

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タイトル別名
  • Initial Silicidation on Ni surfaces studied by Scanning Tunneling Microscopy

説明

Ni(111)、(100)、(110)表面でのSi吸着後形成されるシリサイド構造を超高真空下でSTM観察を行った。Ni(111)表面では、Siが1/3ML吸着したroot-3構造が安定構造であり、Ni(100)表面では1/2MLのroot-2構造、Ni(110)表面では1/2MLのp(1x2)、c(2x2)、c(4x2)構造が共存することが分かった。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680656440576
  • NII論文ID
    130005175739
  • DOI
    10.14886/sssj2008.36.0_411
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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