共鳴多光子イオン化スパッタ中性粒子質量分析法によるSi/Ti多層膜の深さ方向分析
書誌事項
- タイトル別名
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- Depth profiling of multilayered Si/Ti by resonant multi-photon ionization SNMS
説明
従来の二次イオン質量分析法（SIMS）では，マトリックス効果により，深さ方向分析の定量測定に難があった．これまで我々のグループは，共鳴多光子イオン化によるスパッタ中性粒子分析法（SNMS）を用いてマトリックス効果の小さい定量測定手法の開発を行ってきた．今回，SNMSを用いてSi/Ti多層膜の深さ方向分析を行った．その結果より，SNMSの定量性をSIMSと比較し，議論する．
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 29 (0), 49-49, 2009
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680656777344
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- NII論文ID
- 130004674253
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
