酸化拡散炉による酸化膜成膜条件の最適化

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タイトル別名
  • Optimization　for　thermal　oxidation　of　silicon

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説明

<tt>The　thermal　oxidation　of　silicon　is　a　basic　process　in　micro-sensor　fabrication.　In this　study,　Quality　Engineering(Taguchi-Methods)was　applied to improve the uniformity　and　controllability　of　SiO2　thickness.　Two　Zero-point　Proportional equations　were　used　for　analyses　: (1)Y=βM　(Y:SiO2　thickness,　β　:　constant,　M　:　oxidation　time) (2)Y*=βM　(Y*:square　of　SiO2　thickness) As　a　result,　excellent　uniformity　of　SiO2　thickness　was　obtained　under　the </tt><tt>optimum　condition　when　generic function(2)Y*=βM　was　used. </tt>

収録刊行物

  • 品質工学

    品質工学 7 (1), 43-49, 1999

    一般社団法人 品質工学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680740400384
  • NII論文ID
    130005157000
  • DOI
    10.18890/qes.7.1_43
  • ISSN
    21899320
    2189633X
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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