2421 4H-SiC表面の水分解反応 : 第一原理解析

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  • 2421 Water splitting reaction on 4H-SiC surface: A first-principles analysis

抄録

次世代クリーンエネルギー源である「水素」を生成する方法として、パワー半導体である4H-SiC表面における水分解反応の素過程を解析した。始めに局所状態密度解析により表面における準位の存在と、そのエネルギーギャップが水分解に必要な伝導帯端の低下を再現することを確認した。次に、表面にH20分子を1つ置いて構造緩和を行った所、H,0分子がHとOHに分離し、各々表面原子と結合した。さらに、水分子を3つに増やして構造緩和を行った場合、S1原子終端表面側でH2分子が生成された。

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