書誌事項
- タイトル別名
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- Relevance of Surface reconstruction to specular RHEED intensity on GaAS(001)
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説明
By carrying out Monte Carlo simulations, we found that all features of the time evolution of a specular reflection high-energy electron (RHEED) diffraction in the homoepitaxial growth of GaAs(001) is well accounted for by the density of double As dimers.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 27 (1), 153-, 2000
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680840616832
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- NII論文ID
- 110002715370
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- NII書誌ID
- AN00188386
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- ISSN
- 21878366
- 03856275
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可