MOCVD法によるエピタキシャル成長SrBi_2Ta_2O_9薄膜の合成とその電気特性評価(<小特集>化学的方法による機能性酸化物膜の合成)

DOI Web Site 参考文献15件
  • 舟窪 浩
    東京工業大学総合理工学研究科物質科学創造専攻
  • 石川 勝之
    東京工業大学総合理工学研究科物質科学創造専攻
  • 渡辺 隆之
    東京工業大学総合理工学研究科物質科学創造専攻
  • 三矢 昌俊
    東京工業大学総合理工学研究科物質科学創造専攻
  • 額賀 紀全
    東京工業大学総合理工学研究科物質科学創造専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Growth of Epitaxially Grown Bismuth Layer-structured Ferroelectric Thin Films and Their Characterization(<Special Issue>Synthesis of Functional Oxide Films through Chemical Method)
  • MOCVD法によるエピタキシャル成長SrBi2Ta2O9薄膜の合成とその電気特性評価
  • MOCVDホウ ニ ヨル エピタキシャル セイチョウ SrBi2Ta2O9 ハクマク ノ ゴウセイ ト ソノ デンキ トクセイ ヒョウカ

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抄録

SrBi_2Ta_O_9 (SBT) thin films were epitaxially grown on SrTiO_3 single crystals by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) . c-axis-oriented SBT film was deposited on (100) SrTiO_3 substrate above 620℃. On the other hand, (1 16)-oriented SBT film was grown on (110) SrTi03 substrate at 820℃. The remanent polarization and the coercive field of (116)-oriented SBT film were 11.4μC/cm^2 and 80 kV/cm, respectively. On the other hand, the (001) -oriented SBT film showed no ferroelectricity. These ferroelectric annisotropy of SBT agreed with the estimation from the crystal anysotropy of SBT.

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参考文献 (15)*注記

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