MBE成長GaAs(111)A面の成長中断を用いたSiドープAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I

大西 由真, 伊藤 洋平, ネルソン, 大鉢 忠

doi:10.19009/jjacg.29.2_25

MBE成長GaAs(111)A面の成長中断を用いたSiドープAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I

DOI 参考文献3件

大西由真

同志壮大学工学部
伊藤洋平

同志壮大学工学部
ネルソン

同志壮大学工学部:ネルソンサイエンティフィック
大鉢忠

同志壮大学工学部

書誌事項

タイトル別名

AS pressure dependence on Si doping of MBE growth of GaAS on (111)A Substrates with interruption growth

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説明

We grew Si-doped GaAs on GaAs (111)A substrates by molecular beam epitaxy (MBE) with and without growth interruption . Their electric and optical properties were then studied. The amount of acceptor Si that incorporated into GaAs(111)A layer increased by the interruption growth.