書誌事項
- タイトル別名
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- Growth of InN and its Related Alloys by Vapor Phase Epitaxy(<Special Issue>Breakthrough in Nitride Crystal Growth for Next Generation Devices)
- In系窒化物半導体のMOVPEおよびHVPE成長
- Inケイ チッカブツ ハンドウタイ ノ MOVPE オヨビ HVPE セイチョウ
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抄録
有機金属気相成長法(MOVPE)およびハライド気相成長法(HVPE)によるIn系窒化物半導体結晶成長を検討した.GaAs(110)基板上MOVPE成長において,半極性{101^^-3}InN結晶の成長を確認し,X線極点図およびX線異常散乱測定により,双晶混入メカニズムおよびInNの極性が結晶成長に与える影響を明らかにした.また,HVPE法によるIn_xGa_<1-x>N混晶厚膜成長を熱力学解析により検討した結果,高V/III比,成長系内水素分圧の制御により,比較的高温においても組成制御性良くIn_xGa_<1-x>N混晶成長が可能であることが示唆された.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 38 (4), 255-262, 2012
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680874287232
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- NII論文ID
- 110009327763
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- NII書誌ID
- AN00188386
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- ISSN
- 21878366
- 03856275
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- NDL書誌ID
- 023506685
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可