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- 山田 英明
- (独)産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究ラボ
書誌事項
- タイトル別名
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- Present Status of Progresses and Understanding in Techniques to Fabricate Large Size Wafers of Single-crystal Diamond with Sufficiently High Growth Rate(<Special Issue>Diamond Growth)
- 単結晶ダイヤモンドウェハのプラズマCVDによる高速・大面積成長
- タンケッショウ ダイヤモンドウェハ ノ プラズマ CVD ニ ヨル コウソク ・ ダイ メンセキ セイチョウ
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抄録
SiやSiCを超える物性値を持つ単結晶ダイヤモンドは,その優れた能力に期待されながらも,実用化に至るには,様々な課題が残されている.単結晶ダイヤモンドを用いたデバイス作製の基材となるウェハ供給においては,結晶の高品質化に加え,ウェハの大面積化と,大面積に渡る高速合成が大きな課題である.本稿では,単結晶ダイヤモンド合成技術開発と,結晶成長のメカニズムに関する現状を概説する
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 39 (4), 170-178, 2013
日本結晶成長学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680874431104
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- NII論文ID
- 110009578686
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- NII書誌ID
- AN00188386
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- ISSN
- 21878366
- 03856275
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- NDL書誌ID
- 024259981
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
