電子線照射で形成したMoS2原子層ショットキー接合からの光電流検出

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タイトル別名
  • Detection of photo current arising from atomic-layer MoS2 Schottky junction fabricated by electron beam irradiation

抄録

<p>我々は少数層MoS2に電子線照射し半導体・金属転移を創製しその界面に原子層の薄さのショットキー接合が形成出来ることをNano Lettersに報告して来た。今回そのショットキー接合に光照射し、光電流を検出したので報告する。この接合への高電界集中と高効率光電流検出を、ゲート電圧・照射光振動数などとの相関から明らかにする。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680934549504
  • NII論文ID
    130006243820
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1174
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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