量子臨界点近傍にあるEuPt<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>の単結晶育成と圧力効果

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タイトル別名
  • Single Crystal Growth and Effect of Pressure on the Electronic State of EuPt<sub>2</sub>Si<sub>2</sub> close to the Quantum Critical Point

抄録

<p>これまでの多結晶試料の圧力実験からEuPt_2_Si_2_は常圧で2価からずれていて，約2.5 GPaでT_N_→0となる化合物と報告されている．本研究ではInフラックス法で純良単結晶育成に成功し，電気抵抗，比熱，磁化率，磁化の測定をしたので，その実験結果を報告する．ネール点は21.1 Kで，引き続き16.0 Kに磁気転移があることが分かった．圧力実験からネール点は約3 GPaでゼロとなり，重い電子状態になる．</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680935059584
  • NII論文ID
    130006244944
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2277
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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