Single Crystal Growth and Effect of Pressure on the Electronic State of EuPt<sub>2</sub>Si<sub>2</sub> close to the Quantum Critical Point
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- Yara T.
- Grad. Sch. of Eng. and Sci., Univ. of the Ryukyus
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- Ashitomi Y.
- Grad. Sch. of Eng. and Sci., Univ. of the Ryukyus
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- Nakashima M.
- Fac. of Sci., Shinshu Univ.
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- Amako Y.
- Fac. of Sci., Shinshu Univ.
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- Honda F.
- Inst. for Materials Research, Tohoku Univ.
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- Nakamura A.
- Inst. for Materials Research, Tohoku Univ.
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- Aoki D.
- Inst. for Materials Research, Tohoku Univ.
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- Hedo M.
- Fac. of Sci., Univ. of the Ryukyus
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- Nakama T.
- Fac. of Sci., Univ. of the Ryukyus
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- Onuki Y.
- Fac. of Sci., Univ. of the Ryukyus
Bibliographic Information
- Other Title
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- 量子臨界点近傍にあるEuPt<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>の単結晶育成と圧力効果
Abstract
<p>これまでの多結晶試料の圧力実験からEuPt_2_Si_2_は常圧で2価からずれていて，約2.5 GPaでT_N_→0となる化合物と報告されている．本研究ではInフラックス法で純良単結晶育成に成功し，電気抵抗，比熱，磁化率，磁化の測定をしたので，その実験結果を報告する．ネール点は21.1 Kで，引き続き16.0 Kに磁気転移があることが分かった．圧力実験からネール点は約3 GPaでゼロとなり，重い電子状態になる．</p>
Journal
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- Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan
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Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 71.2 (0), 2277-2277, 2016
The Physical Society of Japan
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680935059584
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- NII Article ID
- 130006244944
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- ISSN
- 21890803
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed