量子臨界点近傍にあるEuPt<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>の単結晶育成と圧力効果
書誌事項
- タイトル別名
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- Single Crystal Growth and Effect of Pressure on the Electronic State of EuPt<sub>2</sub>Si<sub>2</sub> close to the Quantum Critical Point
抄録
<p>これまでの多結晶試料の圧力実験からEuPt_2_Si_2_は常圧で2価からずれていて,約2.5 GPaでT_N_→0となる化合物と報告されている.本研究ではInフラックス法で純良単結晶育成に成功し,電気抵抗,比熱,磁化率,磁化の測定をしたので,その実験結果を報告する.ネール点は21.1 Kで,引き続き16.0 Kに磁気転移があることが分かった.圧力実験からネール点は約3 GPaでゼロとなり,重い電子状態になる.</p>
収録刊行物
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- 日本物理学会講演概要集
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日本物理学会講演概要集 71.2 (0), 2277-2277, 2016
一般社団法人 日本物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680935059584
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- NII論文ID
- 130006244944
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- ISSN
- 21890803
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可