22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

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書誌事項

タイトル別名
  • 22pHA-9 Preparation of Hydrogen Terminated Si(110)-(1×1) surface and Surface Phonon II

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680955791232
  • NII論文ID
    110008760617
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.66.2.4.0_922_3
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

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