22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
書誌事項
- タイトル別名
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- 22pHA-9 Preparation of Hydrogen Terminated Si(110)-(1×1) surface and Surface Phonon II
収録刊行物
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- 日本物理学会講演概要集
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日本物理学会講演概要集 66.2.4 (0), 922-, 2011
一般社団法人 日本物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680955791232
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- NII論文ID
- 110008760617
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- ISSN
- 21890803
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles