書誌事項
- タイトル別名
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- Interface of N<SUP>+</SUP>ion-Implanted Zn/sapphire
- N + イオン チュウニュウシタ Zr サファイア ノ カイメン ジョウタイ
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抄録
The interface of the Zr/sapphire implanted with N+ ions were examined by RBS and cross-sectional TEM observations. The ion implantation induced the interdiffusion of atoms at the interface and the clear border-line between the Zr film and sapphire was found to disappear. The thickness of the diffusion layer was estimated to be about 10 nm at the interface of the Zr/sapphire implanted with N+ ions to the dose of 2×1017/cm2.
収録刊行物
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- 粉体および粉末冶金
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粉体および粉末冶金 34 (9), 494-496, 1987
一般社団法人 粉体粉末冶金協会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282681285440128
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- NII論文ID
- 130000813170
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- NII書誌ID
- AN00222724
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- ISSN
- 18809014
- 05328799
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- NDL書誌ID
- 3171288
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可