Epitaxial Growth Controlled in Three Dimensions. Hexagonal Facet Laser Grown by Selective Area MOCVD.
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- ANDO Seigo
- NTT Basic Research Laboratories
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- KOBAYASHI Naoki
- NTT Basic Research Laboratories
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- ANDO Hiroaki
- NTT Basic Research Laboratories
Bibliographic Information
- Other Title
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- 3次元制御エピタキシャル成長 MOCVD選択成長による六角柱ファセットレーザー
Abstract
有機金属気相成長法による選択成長を用いて,(111)B面上で成長条件を最適化すると六角柱の成長が得られることを示す。この六角柱の側面の(110)ファセットは,基板に完全に垂直でかつ劈開面に匹敵する平坦性をもつためにレーザーの反射ミラーとして応用することができる。作製したレーザーは,低しきい値で発振し,そのモードは内接する六角形のシングルモードであった。さらに(111)B面上では,矩形構造の選択成長も可能なため,これを光導波路として六角柱の角に結合した光導波路一体型レーザー構造についても紹介する。
Journal
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- Hyomen Kagaku
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Hyomen Kagaku 16 (10), 638-643, 1995
The Surface Science Society of Japan
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282681432397056
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- NII Article ID
- 130003683486
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- ISSN
- 18814743
- 03885321
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- Crossref
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed