書誌事項
- タイトル別名
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- Smoothing of Single Crystalline SiC, GaN and ZnO by Catalyst Referred Etching
- 触媒表面基準エッチングによる単結品SiC,GaN,ZnO表面の平滑化
- ショクバイ ヒョウメン キジュン エッチング ニ ヨル タンケツヒン SiC,GaN,ZnO ヒョウメン ノ ヘイカツカ
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説明
We developed an ultraprecise surface preparation method named catalyst referred etching (CARE) in which a reference plate is employed to be copied on to the work surface during chemical etching. The reference plate has a catalytic nature to enhance etching reaction just on the surface. Single crystalline SiC (0001), GaN (0001), and ZnO (0001) surfaces were processed by CARE, and evaluated to be nearly atomically flat and crystallographically highly ordered.
収録刊行物
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- 表面科学
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表面科学 33 (6), 334-338, 2012
公益社団法人 日本表面科学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282681434802304
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- NII論文ID
- 130004486767
- 10030756441
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- NII書誌ID
- AN00334149
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- COI
- 1:CAS:528:DC%2BC38Xhtl2lur%2FK
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- ISSN
- 18814743
- 03885321
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- NDL書誌ID
- 023832373
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
