書誌事項
- タイトル別名
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- Wide-bandgap Semiconductor Devices using Group-III Nitride/SiC Heterointerface
- 3族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス
- 3ゾク チッカブツ SiC ヘテロ カイメン オ モチイタ ワイドギャップ ハンドウタイ デバイス
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抄録
This paper describes group-III nitride (III-N)/SiC heterointerface and its device applications. Heteroepitaxial growth of III-N on SiC opens new opportunity of SiC-based heterojunction devices such as heterojunction bipolar transistors (HBTs). The authors developed growth methods to grow high-quality III-N on SiC by molecular-beam epitaxy. Fabricated GaN/SiC heterojunction exhibited type-II band-lineup. By using AlN/GaN short period superlattice as a quasi AlGaN alloy, the authors successfully controlled the band-lineup to be type-I and demonstrated common-emitter-mode operation of III-N/SiC HBTs.
収録刊行物
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- 表面科学
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表面科学 31 (12), 651-656, 2010
公益社団法人 日本表面科学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282681435419008
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- NII論文ID
- 10027573922
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- NII書誌ID
- AN00334149
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- ISSN
- 18814743
- 03885321
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- NDL書誌ID
- 10934859
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可