Si 基板上への(001)配向 MgO 薄膜の作製

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  • 小野寺 学史
    東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
  • 吉田 昌弘
    東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
  • 手束 展規
    東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
  • 杉本 諭
    東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
  • 斉藤 好昭
    株式会社東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

書誌事項

タイトル別名
  • Fabrication of (001)-Oriented MgO Thin Films on Si Substrates
  • Si キバン ジョウ エ ノ(001)ハイコウ MgO ハクマク ノ サクセイ
公開日
2013
資源種別
journal article
DOI
  • 10.2320/jinstmet.77.89
公開者
公益社団法人 日本金属学会

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説明

We investigated the structural property of MgO thin films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy in order to obtain (001)-oriented MgO barrier for high spin polarization on Si substrate. The MgO layer deposited at 200℃ and deposition rate of 0.30 nm/min grew with (001)-orientation on Si(001) substrate. The (001)-orientation and crystallization of the MgO layer were enhanced by insertion of Mg layer into interface between Si substrate and MgO layer. It is considered that the Mg layer prevented oxidation of Si at interface and functioned as buffer layer.<br>

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