スピントロニクスメモリ最新動向

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書誌事項

タイトル別名
  • Emerging spintronics memories
  • スピントロニクスメモリ最新動向 : STT-MRAM/スピンホールMRAM/VoCSM
  • スピントロニクスメモリ サイシン ドウコウ : STT-MRAM/スピンホール MRAM/VoCSM
  • STT-MRAM, Spin-Hall MRAM, and Voltage Control Spintronic Memory
  • STT-MRAM/スピンホールMRAM/VoCSM

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説明

<p>不揮発性メモリは情報の書き換えに大きなエネルギーを必要とするため，その応用はストレージに限定されています．このジレンマを解消するために，スピントロニクスメモリにおけるSTT書き込み，スピンホール書き込み，およびVoCSM書き込みを検討しました．その結果，単ビットレベルでのスピンホール書き込みを実現し，VoCSM書き込みでは不揮発性を保ったまま，揮発性メモリ並みの低エネルギー書き込みと実質無限回数の書き換え耐性を併せもつポテンシャルがあることを確認しました．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 88 (6), 394-398, 2019-06-10

    公益社団法人 応用物理学会

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