書誌事項
- タイトル別名
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- Deep-UV lasing (240-360 nm) of AlGaN multi-quantum well lasers under optical pumping
- 研究紹介 光励起によるAlGaN多重量子井戸型深紫外レーザーの発振特性--発振波長域240～360nm
- ケンキュウ ショウカイ ヒカリ レイキ ニ ヨル AlGaN タジュウ リョウシ イドガタシンシガイ レーザー ノ ハッシン トクセイ ハッシン ハチョウイキ 240 360nm
- −発振波長域240〜360nm−
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説明
<p>最近実現されたAlGaN系深紫外半導体レーザーの光励起による室温レーザー発振についてまとめる．AlGaNはGaNからAlNまでの広いバンドギャップを有し，紫外から深紫外域の波長域で発光可能な半導体である．新しく開発した「交互供給法」により，高Al組成AlGaNの高品質エピタキシャル結晶成長が可能になったことから，AlGaN多重量子井戸型半導体レーザーを製作し，光励起によりレーザー発振が達成された．そのときの最短波長は，室温で241nmであった．</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 74 (11), 1458-1462, 2005-11-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282752332197504
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- NII論文ID
- 10016763487
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 7717407
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
