トランジスタ構造の立体化

DOI Web Site 参考文献12件

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タイトル別名
  • Impact of 3D structured transistors
  • 最近の展望 トランジスタ構造の立体化--縦型MOSトランジスタの高密度メモリーへの可能性
  • サイキン ノ テンボウ トランジスタ コウゾウ ノ リッタイカ タテガタ MOS トランジスタ ノ コウミツド メモリー エ ノ カノウセイ
  • −Ultra high density memory with 3D structured MOS devices−
  • −縦型MOSトランジスタの高密度メモリーへの可能性−

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説明

<p>ポストDRAMを実現するための革新技術を，縦型MOSデバイス技術の観点から論じる．近年の半導体技術の選択では，比較的保守的なデバイス構造が選択されており，65nm世代のトランジスタとして平面型MOSFETが選択されている．しかし，今後さらに微細化される平面型MOSFETの性能を確保するためには，多くの問題が山積している．その一方で，DRAMなどのようにキャパシター構造を立体化することで，危惧された限界を超えて発展した成功例もある．このことから考えると，32nm世代以降のULSIは，斬新な縦型構造デバイスなどの立体構造デバイスに移行することによって，予想を超えて発展すると考えられる．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 75 (9), 1115-1119, 2006-09-10

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (12)*注記

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