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- 高村(山田) 由起子
- 北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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- 王 治涛
- 東北大学金属材料研究所
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- 藤川 安仁
- 東北大学金属材料研究所
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- 櫻井 利夫
- 東北大学金属材料研究所
書誌事項
- タイトル別名
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- Surface studies of nitride thin films using scanning probe microscopy
- 最近の展望 窒化物半導体薄膜の走査プローブ顕微鏡による微視的評価
- サイキン ノ テンボウ チッカブツ ハンドウタイ ハクマク ノ ソウサ プローブ ケンビキョウ ニ ヨル ビシテキ ヒョウカ
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抄録
<p>近年，窒化物半導体の薄膜成長装置と走査プローブ顕微鏡を組み合わせ，その表面を原子レベルで評価することが可能となった．主な成果として，膜の極性と表面の組成に依存する表面再構成構造の詳細が明らかになったことがあげられる．最近ではこの手法を用いて，窒化物薄膜成長の極性制御，窒化物薄膜のドライエッチング過程，窒化物薄膜上への金属薄膜成長過程などの研究が展開されている．今後は，強磁性体プローブを用いたスピン偏極走査型トンネル顕微鏡の窒化物希薄磁性半導体への応用など，構造観察に加えて，局所的な物性測定が可能な点を生かした研究が盛んになることが期待される．</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 76 (5), 499-504, 2007-05-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282752333934336
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- NII論文ID
- 10019926580
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 8808411
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- IRDB
- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可