省エネ創エネを牽引(けんいん)する窒化物ワイドギャップ半導体
書誌事項
- タイトル別名
-
- Wide-band-gap nitride semiconductors play the leading role in energy saving and generation
この論文をさがす
収録刊行物
-
- 応用物理
-
応用物理 81 (6), 454-454, 2012-06-10
公益社団法人 応用物理学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390282752334037632
-
- NII論文ID
- 10030594789
-
- NII書誌ID
- AN00026679
-
- ISSN
- 21882290
- 03698009
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- CiNii Articles