省エネ創エネを牽引(けんいん)する窒化物ワイドギャップ半導体

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タイトル別名
  • Wide-band-gap nitride semiconductors play the leading role in energy saving and generation

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収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 81 (6), 454-454, 2012-06-10

    公益社団法人 応用物理学会

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282752334037632
  • NII論文ID
    10030594789
  • NII書誌ID
    AN00026679
  • DOI
    10.11470/oubutsu.81.6_454
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

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