微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析

DOI Web Site 参考文献11件
  • 水野 清義
    九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻
  • 白澤 徹郎
    東京大学物性研究所
  • 田中 悟
    九州大学大学院工学研究院 エネルギー量子工学部門
  • 栃原 浩
    九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Formation of silicon oxynitride on vicinal SiC(0001) and structure determination using low-energy electron diffraction
  • ビケイシャ SiC 0001 ヒョウメンジョウ ノ サンチッカ シリコン ハクマク ノ サクセイ ト テイソク デンシ カイセツ ニ ヨル コウゾウ カイセキ

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抄録

<p>微傾斜SiC(0001)表面上に酸窒化シリコン(SiON)超薄膜を作製し，低速電子回折によって構造を決定した．得られたSiON超薄膜は，界面の窒化シリコン単原子層と，酸素のブリッジを介した最表面の酸化シリコン単原子層から成り，SiC(0001)結晶の上に(√3×√3)R30° の周期構造を形成する．単位格子内にはダングリングボンドが存在せず，大気中に取り出しても安定である．微傾斜基板では周期的テラス-ステップ構造を保ってA面のテラス上に単一のドメインを形成する．最上層の酸化シリコン層は約9eVのバンドギャップをもち，デバイスなどへの応用が期待できる．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 77 (10), 1240-1243, 2008-10-10

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (11)*注記

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