書誌事項
- タイトル別名
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- Growth of high-quality ZnO-based epitaxial films and their device applications
- ZnOケイ エピタキシャル ハクマク ノ コウヒンシツカ ト ヘテロ セツゴウ
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抄録
<p>酸化亜鉛（ZnO）は，ワイドギャップ半導体として優れた特性を有している．その優れた機能を引き出し，光・電子デバイスへの応用を目指して，ZnO薄膜の高品質化を行い，残留電子濃度を大幅に低減する技術を確立した．またデバイス化に向けて，ZnMgO/ZnOヘテロ構造の研究開発を進めた．障壁層材料として開発したZnMgO層において，Mg濃度の増加につれて発光強度が増加するという，これまでにない現象を発見した．また，ZnMgO/ZnOヘテロ構造において，高濃度な二次元電子ガスの形成を確認し，高移動度トランジスタの動作を確認した．</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 77 (5), 500-507, 2008-05-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282752337333504
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- NII論文ID
- 10024191758
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 9501781
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可