書誌事項
- タイトル別名
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- GaN field-effect transistor for terahertz wave detection
- テラヘルツハ ケンシュツ GaN トランジスタ ノ カイハツ
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説明
<p>電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor : FET）でのプラズマ共鳴現象を用いたテラヘルツディテクタは，小型で室温動作可能なデバイスであり，セキュリティや材料分析などさまざまな分野への応用が可能な素子として注目されている．我々は，GaN系材料を用いて共鳴受信信号の増加を図るとともに，FETの電極をダイポールアンテナとして設計することで伝搬損失を抑制し，室温で高感度なテラヘルツ受信素子を実現した．</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 81 (6), 506-510, 2012-06-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282752337419904
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- NII論文ID
- 10030595051
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 023822715
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
