走査イオン顕微鏡像の基礎と解釈

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タイトル別名
  • Basics and Interpretation of Scanning-Ion-Microscope Images

抄録

<p>走査イオン顕微鏡（SIM）（照射イオン種：GaおよびHe）が持つ二次電子（SE）像情報について，走査電子顕微鏡（SEM）と比較しながら解説した．SE像情報の解析にはモンテカルロシミュレーション法を用い，SEを衝突励起する被衝突粒子，すなわち入射イオン，反挑試料原子，および励起SE電子（電子衝突カスケード）の全軌道を追跡した．Ga-SIMでは，SE収率はZ2の増加と共に緩やかなおおむね減少傾向（ただし，周期律に依存した変化が重畳）を示し，SEMと逆傾向にある．He-SIMにおけるSE収率のZ2依存性は，Gaイオン照射と電子照射の中間の特性となり，Z2依存性は弱い．SIM像の材料コントラスト，情報深さ，像分解能，表面形状コントラストに関係するSE収率の入射角依存性，および電圧コントラストに関係するSEの放出エネルギー分布の特性について，SEM像と対比した．</p>

収録刊行物

  • 顕微鏡

    顕微鏡 47 (1), 26-32, 2012-03-30

    公益社団法人 日本顕微鏡学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390283659829801088
  • NII論文ID
    130007768861
  • DOI
    10.11410/kenbikyo.47.1_26
  • ISSN
    24342386
    13490958
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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