デバイス基板転写SiC単結晶薄膜を用いた高性能グラフェン・トランジスタ

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タイトル別名
  • High-performance graphene transistor using SiC single crystalline thin film on device wafers

抄録

<p>グラフェンは優れた物性を有す、次世代無線通信デバイス応用が期待されている。しかし、トランジスタ化した時には、ドレイン電流飽和（ピンチオフ）せず、また、入力ゲート電圧に対するドレイン電流変調度が理論値を大きく下回っていた。我々はゲート絶縁膜とグラフェンの界面を制御することにより、ピンチオフを実現するとともに、従来よりも一桁多いドレイン電流変調度を実現した。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390286981362014720
  • NII論文ID
    130007959374
  • DOI
    10.14886/jvss.2020.0_279
  • ISSN
    24348589
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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