光電子ホログラフィー法による強磁性半導体Ge<sub>0.6</sub>Mn<sub>0.4</sub>Teの原子構造解析

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タイトル別名
  • Atomic Arrangement Analysis of Ferromagnetic Semiconductor Ge<sub>0.6</sub>Mn<sub>0.4</sub>Te by Photoelectron Holography

説明

強磁性半導体 Ge1-xMnxTe の光電子ホログラム測定を行った。948 eV の励起光に対して、運動エネルギーが 900 eV の光電子放出強度の角度分布を測定して、Te 4d 光電子回折パターン（光電子ホログラム）の取得に成功した。得られたホログラムより Te 周辺の原子像を再生したところ、Te のサイトに原子位置の揺らぎがあることが分かった。この結果は蛍光X線ホログラフィーの結果と一致する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390286981376045440
  • NII論文ID
    130007969623
  • DOI
    10.18957/rr.8.1.5
  • ISSN
    21876886
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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