X線吸収微細構造法を用いた有機金属気相成長法により成長した Sb 添加 AlN 中の Sb 原子近傍の局所構造解析
書誌事項
- タイトル別名
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- Analysis on Local Structure around Sb Atoms in MOCVD-grown Sb-doped AlN by using X-ray Absorption Fine-Structure Measurements
抄録
低抵抗 p 型伝導性制御を期待される高品質の窒化物系混晶半導体 AlN1-xSbx を実現する目的で、有機金属気相成長法で成長した Sb 添加 AlN 中の Sb 原子近傍の局所構造をX線吸収微細構造法で評価した。その結果、Sb 原子近傍の動径分布関数が、AlSb 中のものとは異なり、第一近接原子である Al の信号も一致しなかったことから、Sb 添加 AlN 中のほとんどの Sb は AlN 中の V 族元素の N 原子を置換していないと考えられる。
収録刊行物
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- SPring-8/SACLA利用研究成果集
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SPring-8/SACLA利用研究成果集 9 (2), 133-136, 2021-02-25
公益財団法人 高輝度光科学研究センター
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390287297543869312
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- NII論文ID
- 130007991594
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- ISSN
- 21876886
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可