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- 西中 浩之
- 京都工芸繊維大学
書誌事項
- タイトル別名
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- Epitaxial growth of <i>κ</i>- and <i>γ</i>-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> thin films with alloying and lattice matching
- 混晶と格子整合性からアプローチするκ相,γ相酸化ガリウムの結晶成長技術
- コンショウ ト コウシ セイゴウセイ カラ アプローチ スル kソウ,gソウ サンカ ガリウム ノ ケッショウ セイチョウ ギジュツ
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抄録
<p>化合物半導体の中でも大きなバンドギャップを有する酸化ガリウムは,パワーデバイスや深紫外受光素子として研究が進んでいる.この酸化ガリウムは5つの結晶多形を有しており,そのうちβ相とα相に大きな注目が集まっているが,本稿では,そのほかのκ相とγ相にスポットを当てた.κ相は強誘電体特性を有しており,またγ相は5.8eVと大きなバンドギャップで格子整合しながら結晶成長が可能である.このκ相とγ相の結晶成長について,高品質化に向けて,化合物半導体の基礎である混晶と格子整合性という点に着目して紹介する.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 90 (6), 360-364, 2021-06-05
公益社団法人 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390288292972845312
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- NII論文ID
- 130008049183
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 031562109
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可