超音速酸素分子線照射によるHfSi<sub>2</sub>/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ

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タイトル別名
  • Potential barrier for oxidation of HfSi<sub>2</sub>/Si(111) surface studied with super sonic O<sub>2</sub> molecular beam

抄録

<p>本研究では、Si(111)表面にハフニウムジシリサイド（HfSi2）を作製し、異なる並進運動エネルギーを持った超音速酸素分子線を照射した直後に放射光軟X線光電子分光法を行うことで、その酸化過程と反応障壁に関する研究を行った。得られたHf 4f、Si 2p、O 1s内殻光電子スペクトルを成分分離し、比較することで、直接解離吸着における表面構造に由来した反応障壁高さの違いを議論する。</p>

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390290493078596224
  • NII論文ID
    130008134203
  • DOI
    10.14886/jvss.2021.0_3p01
  • ISSN
    24348589
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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