GaNパワーデバイス用HfAlO<sub>x</sub>、HfSiO<sub>x</sub>、AlSiO<sub>x</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及びHfO<sub>2</sub>絶縁膜の特性比較
書誌事項
- タイトル別名
-
- Comparison of characteristics of HfAlO<sub>x</sub>, HfSiO<sub>x</sub>, AlSiO<sub>x</sub>, Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, and HfO<sub>2</sub> gate dielectrics for GaN power devices
収録刊行物
-
- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
-
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 (0), 1898-1898, 2020-08-26
公益社団法人 応用物理学会
- Tweet
キーワード
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390291932684744960
-
- ISSN
- 24367613
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC